快速退火爐系統(tǒng)加熱功率設(shè)計(jì)    

    快速退火爐的參數(shù)設(shè)計(jì)中主要是熱工設(shè)計(jì)即加熱功率設(shè)計(jì)。把滿足于設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)的熱工指標(biāo)作為已知條件，通過理論計(jì)算并考慮適當(dāng)?shù)墓β视嗔咳サ玫较鄳?yīng)的燈管加熱總功率。

    與傳統(tǒng)的高溫爐比較，快速退火爐工藝其優(yōu)點(diǎn)是避免雜質(zhì)的再擴(kuò)散，減小晶片處理過程中的熱預(yù)算.工藝的基本過程是將待處理的晶片通過傳片機(jī)械手送入加熱腔體，在幾秒鐘的時(shí)間晶片被升溫到1000℃左右(不同的工藝要求升溫速度與保持溫度有差別)，然后在1000℃的溫度下保持10-15秒，再快速降到溫度后取出。典型的離子注入后退火工藝曲線。從工藝過程可以看出，快速退火爐快速的升溫能力十分關(guān)鍵。除此之外，工藝要求硅片在受熱過程中，保證整塊硅晶片表面溫度分布均勻。

    由于現(xiàn)代集成電路關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，制造工藝對設(shè)備提出了更高要求，用于處理200mm晶片以下的快速退火爐，其升溫速率能達(dá)到250℃/秒、加熱溫度1250℃,溫度分布均勻性小于0.5%的要求。退火爐要解決這些問題首先從熱源設(shè)計(jì)入手。